Kontakt

Pyramid Formation by Etching of InxGa1−xN /GaN Quantum Well Structures Grown on N-face GaN for Nanooptical Light Emitters

verfasst von
Uwe Rossow, Shawutijiang Sidikejiang, Samar Hagag, Philipp Horenburg, Philipp Henning, Rodrigo de Vasconcellos Lourenco, Heiko Bremers, Andreas Hangleiter
Externe Organisation(en)
Technische Universität Braunschweig
Typ
Artikel
Journal
Physica Status Solidi (B) Basic Research
Band
258
ISSN
0370-1972
Publikationsdatum
08.10.2021
Publikationsstatus
Veröffentlicht
Peer-reviewed
Ja
ASJC Scopus Sachgebiete
Elektronische, optische und magnetische Materialien, Physik der kondensierten Materie
Elektronische Version(en)
https://doi.org/10.1002/pssb.202100085 (Zugang: Offen)